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技術(shù)文章

半導(dǎo)體封裝熱循環(huán)儀技術(shù)解析:均勻控溫與Chiplet封裝冷卻支持

發(fā)布時(shí)間:2025-3-26

  在刻蝕鍍膜車間中,Chiller通過(guò)純水循環(huán)控溫系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)0.5℃高精度冷卻,其技術(shù)方案圍繞傳感器優(yōu)化、熱交換效率、動(dòng)態(tài)補(bǔ)償算法展開(kāi):

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  一、純水循環(huán)控溫系統(tǒng)架構(gòu)

  1、雙循環(huán)獨(dú)立控溫

  主循環(huán):采用去離子水+乙二醇混合液作為冷卻介質(zhì),通過(guò)板式換熱器與刻蝕機(jī)/鍍膜機(jī)進(jìn)行熱交換。

  次級(jí)循環(huán):集成微型熱管陣列,對(duì)高溫區(qū)域(如離子源、靶材)進(jìn)行局部強(qiáng)化冷卻,溫差控制±0.3℃。

  2、密閉式純水設(shè)計(jì)

  電導(dǎo)率監(jiān)測(cè):實(shí)時(shí)檢測(cè)循環(huán)水電導(dǎo)率,自動(dòng)觸發(fā)樹(shù)脂交換程序。

  壓力梯度管理:通過(guò)變頻泵調(diào)節(jié)流速,確保腔體內(nèi)各點(diǎn)水壓波動(dòng)。

  二、0.5℃精度實(shí)現(xiàn)路徑

  1、傳感器融合技術(shù)

  冗余測(cè)溫:在進(jìn)水口、出水口、刻蝕腔體內(nèi)部分別布置鉑電阻傳感器+紅外熱像儀,數(shù)據(jù)融合后控溫精度提升。

  自校準(zhǔn)機(jī)制:每24小時(shí)自動(dòng)進(jìn)行冰點(diǎn)校準(zhǔn),消除傳感器漂移誤差。

  2、動(dòng)態(tài)補(bǔ)償算法

  PID+前饋控制:基于歷史數(shù)據(jù)建立溫度預(yù)測(cè)模型,在刻蝕功率變化前0.5秒預(yù)調(diào)整Chiller功率。

  模糊邏輯優(yōu)化:對(duì)非線性熱負(fù)載(如鍍膜過(guò)程中的等離子體脈沖)進(jìn)行動(dòng)態(tài)補(bǔ)償,響應(yīng)速度提升3倍。

  三、工藝穩(wěn)定性提升驗(yàn)證

  1、刻蝕均勻性改善

  硅槽測(cè)試:在晶圓刻蝕中,線寬均勻性提升。

  深寬比控制:在TSV刻蝕中,深寬比提升。

  2、鍍膜缺陷率降低

  ALD工藝:在200℃沉積Al?O?薄膜時(shí),顆粒污染密度降低。

  應(yīng)力控制:通過(guò)溫度梯度管理,薄膜內(nèi)應(yīng)力降低。

  四、國(guó)內(nèi)設(shè)備商創(chuàng)新方案

  冠亞恒溫Chiller采用多通道獨(dú)?控溫,可以具備單獨(dú)的溫度范圍、冷卻加熱能?、導(dǎo)熱介質(zhì)流量等,采?獨(dú)?的兩套系統(tǒng),根據(jù)所需的溫度范圍選擇采?蒸汽壓縮制冷,或者采?ETCU?壓縮機(jī)換熱系統(tǒng),系統(tǒng)可通?膨脹罐、冷凝器、冷卻?系統(tǒng)等,可以有效減少設(shè)備尺?,減少操作步驟。

刻蝕鍍膜車間用Chiller通過(guò)純水循環(huán)+傳感器融合+動(dòng)態(tài)算法的技術(shù)組合,系統(tǒng)性解決刻蝕鍍膜工藝中的溫度波動(dòng)問(wèn)題,助力半導(dǎo)體制造降本增效。


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