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半導體芯片生產(chǎn)工藝流程

時間:2024/4/8
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半導體芯片是現(xiàn)代電子產(chǎn)品的核心組成部分,其生產(chǎn)工藝涉及多個環(huán)節(jié),包括光刻、腐蝕、離子注入等。博泰小編帶大家了解半導體芯片生產(chǎn)的整個流程。

 

一、清洗

芯片在加工前需進行清洗,清洗設備通常為柵氧化清洗機和氧化擴散清洗機。

 

二、氧化

氧化過程就是把清洗干凈,通過離心甩干的硅片板送入高溫爐管內(nèi)進行退火處理,爐管內(nèi)溫度800-1500℃。

 

三、淀積

淀積系統(tǒng)就是在硅片表面形成具有良好的臺階覆蓋能力、良好的接觸及均勻的高質(zhì)量金屬薄膜的設備系統(tǒng)。


四、光刻

在硅晶片涂上光致蝕劑,使得其遇紫外光就會溶解,在光刻機的曝光作用下,紫外光直射的部分被溶解,用溶劑將其沖走。

 

五、刻蝕

以化學蝕刻的方法或用干法氧化法,去除氨化硅和去掉經(jīng)上幾道工序加工后,在硅片表面因加工應力而產(chǎn)生的一層損傷層的過程。

 

六、二次清洗

將加工完成的硅片需要再次經(jīng)過強酸堿清洗、甩干,去除硅片板上的光刻膠。

 

七、離子注入

將刻蝕后的芯片放入大束、中束流注入機將硼離子(B+3)透過Si02膜注入襯底,形成P型阱。去除氨化硅層,摻雜磷(P+5)離子,形成N型阱。

 

八、快速退火

從離子注入機中取出硅片放入快速退火爐中進行退火處理,去除Si02層,與離子注入工藝根據(jù)需要反復循環(huán)進行。

 

九、蒸鍍

薄膜的沉積方法根據(jù)其用途的不同而不一樣,厚度通常小于1um,分真空蒸發(fā)法和濺鍍法。

 

十、檢測

檢測就是進行全面的檢驗以保證產(chǎn)品最終達到規(guī)定的尺寸、形狀、表面光潔度、平整度等技術指標。

 

 

 

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